型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R214510+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R80555+￥5.197525+￥4.812550+￥4.5430100+￥4.4275500+￥4.35052500+￥4.25435000+￥4.215810000+￥4.1580 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK256610+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGD18N40ACLBT4G 单晶体管, IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252, 3 引脚86375+￥6.115525+￥5.662550+￥5.3454100+￥5.2095500+￥5.11892500+￥5.00575000+￥4.960410000+￥4.8924 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT676010+￥7.2360100+￥6.8742500+￥6.63301000+￥6.62092000+￥6.57275000+￥6.51247500+￥6.464210000+￥6.4400 -
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品类: IGBT晶体管描述: AOD5B65M1 编带91325+￥2.767525+￥2.562550+￥2.4190100+￥2.3575500+￥2.31652500+￥2.26535000+￥2.244810000+￥2.2140 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚413110+￥6.5880100+￥6.2586500+￥6.03901000+￥6.02802000+￥5.98415000+￥5.92927500+￥5.885310000+￥5.8633 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGD10HF60KD DPAK75875+￥13.267850+￥12.7008200+￥12.3833500+￥12.30391000+￥12.22452500+￥12.13385000+￥12.07717500+￥12.0204 -
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品类: IGBT晶体管描述: 400V,20A N沟道IGBT41875+￥3.955525+￥3.662550+￥3.4574100+￥3.3695500+￥3.31092500+￥3.23775000+￥3.208410000+￥3.1644 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1817 -
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品类: IGBT晶体管描述: IKD03N60RFATMA1 编带59385+￥3.712525+￥3.437550+￥3.2450100+￥3.1625500+￥3.10752500+￥3.03885000+￥3.011310000+￥2.9700 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 300mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT6420 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGR4610DPBF 单晶体管, IGBT, 16 A, 1.7 V, 77 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚924010+￥7.5720100+￥7.1934500+￥6.94101000+￥6.92842000+￥6.87795000+￥6.81487500+￥6.764310000+￥6.7391 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R98625+￥5.130025+￥4.750050+￥4.4840100+￥4.3700500+￥4.29402500+￥4.19905000+￥4.161010000+￥4.1040 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz80745+￥4.414525+￥4.087550+￥3.8586100+￥3.7605500+￥3.69512500+￥3.61345000+￥3.580710000+￥3.5316 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARK®2 335mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT185710+￥9.6720100+￥9.1884500+￥8.86601000+￥8.84992000+￥8.78545000+￥8.70487500+￥8.640310000+￥8.6081 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 250V 41A 3Pin TO-252 T/R24125+￥12.647750+￥12.1072200+￥11.8045500+￥11.72891000+￥11.65322500+￥11.56675000+￥11.51277500+￥11.4586 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53315+￥6.318025+￥5.850050+￥5.5224100+￥5.3820500+￥5.28842500+￥5.17145000+￥5.124610000+￥5.0544 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGR4045DTRPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 12 A, 1.7 V, 77 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 新7859 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARK®2 300mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT452410+￥9.6720100+￥9.1884500+￥8.86601000+￥8.84992000+￥8.78545000+￥8.70487500+￥8.640310000+￥8.6081 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTD1N120BNS9A 单晶体管, IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 引脚141810+￥11.1600100+￥10.6020500+￥10.23001000+￥10.21142000+￥10.13705000+￥10.04407500+￥9.969610000+￥9.9324 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。70385+￥4.036525+￥3.737550+￥3.5282100+￥3.4385500+￥3.37872500+￥3.30405000+￥3.274110000+￥3.2292 -
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品类: IGBT晶体管描述: AOD5B60D 编带88605+￥5.764525+￥5.337550+￥5.0386100+￥4.9105500+￥4.82512500+￥4.71845000+￥4.675710000+￥4.6116
